編者按：曼大研究人員本月宣布，已成功制成只有幾原子厚的硒化銦材料。它擁有比石墨烯更好的半導(dǎo)體屬性，是未來替代硅制作電子芯片的理想材料。
近十年來，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。
這種半導(dǎo)體名為硒化銦 （InSe），它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。本月，曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)的研究人員們把這項(xiàng)研究發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊 《Nature Nanotechnology》上。
硒化銦（Indium Selinide，InSe）
比石墨烯更好的半導(dǎo)體
石墨烯只有一層原子那么厚，具有無可比擬的導(dǎo)電性。全世界的專家們都在暢想石墨烯在未來電路中的應(yīng)用。
盡管有那么多的超凡屬性，石墨烯卻沒有能隙（energy gap）。不同于普通的半導(dǎo)體，它的化學(xué)表現(xiàn)更像是金屬。這使得它在類似于晶體管的應(yīng)用上前景黯淡。
這項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)證明，硒化銦晶體可以做得只有幾層原子那么薄。它已表現(xiàn)出大幅優(yōu)于硅的電子屬性。而硅是今天的電子元器件（尤其是芯片）所普遍使用的材料。
更重要的是，跟石墨烯不同，硒化銦的能隙相當(dāng)大。這使得它做成的晶體管可以很容易地開啟/關(guān)閉。這一點(diǎn)和硅很像，使硒化銦成為硅的理想替代材料。人們可以用它來制作下一代超高速的電子設(shè)備。
石墨烯之父：它是硅和石墨烯中間的理想材料
當(dāng)下，科學(xué)家們很喜歡把石墨烯和其他優(yōu)秀的材料結(jié)合起來。讓石墨烯的非凡屬性和其他材料的特點(diǎn)進(jìn)行互補(bǔ)。這往往產(chǎn)生令人興奮的科學(xué)發(fā)現(xiàn)，并會(huì)以我們想象不到的方式應(yīng)用在實(shí)際問題中。
“石墨烯之父 ”Sir Andre Geim 說：
“超薄的硒化銦，是處于硅和石墨烯之間的理想材料。類似于石墨烯，硒化銦具有天然超薄的形態(tài)，使真正納米級(jí)的工藝成為可能。又和硅類似，硒化銦是優(yōu)秀的半導(dǎo)體。”
Sir Andre Geim
由于發(fā)現(xiàn)了石墨烯，Sir Andre Geim 獲得了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。他同時(shí)也是這項(xiàng)研究的作者之一。他認(rèn)為，這項(xiàng)硒化銦的發(fā)現(xiàn)會(huì)對(duì)未來電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生巨大沖擊。
硒化銦是國(guó)立石墨烯研究院的最新成果
國(guó)立石墨烯研究院
曼徹斯特大學(xué)的研究人員們需要克服一項(xiàng)首要問題，才能制作出高質(zhì)量的硒化銦裝置。由于太薄，硒化銦會(huì)快速被氧氣和空氣中的水分分解。為避免這種情況，硒化銦裝置必須在氬氣中制作。而這利用了曼大國(guó)立石墨烯研究院開發(fā)的技術(shù)。
微信二維碼
